درایو های جامد M7V پلکستور بهترین انتخاب برای سیستم های به روز گیمینگ به شمار می روند چراکه سرعت و ماندگاری بالایی دارند و در عین حال مقرون به صرفه نیز هستند.
در حال حاضر ظرفیت های ۱۲۸، ۲۵۶ و ۵۱۲ گیگابایتی از Plextor M7V به تولید می رسد و هر سه مدل از کنترلر MarvelI 88SS1074B1 بهره می برند. چیپ ست های حافظه به کار رفته در سری M7V از نوع سه لایه موسوم به TLC NAND هستند که با استفاده از فناوری 15 نانومتری توسط توشیبا به تولید می رسند. در نسخه ۱۲۸ گیگابایتی حافظه نهان با حجم ۲۵۶ مگابایت از نوع DDR3 در نظر گرفته شده و سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات در این درایو به ترتیب ۵۶۰ و ۵۰۰ مگابایت در ثانیه است. میزان حافظه نهان در درایو ۲۵۶ گیگابایتی به ۵۱۲ مگابایت از نوع DDR3 افزایش می یابد و همچنین شاهد افزایش سرعت نوشتن اطلاعات به ۵۳۰ مگابایت در ثانیه هستیم.
سریع ترین درایو سری M7V با ظرفیت ۵۱۲ گیگابایت از حافظه نهان ۷۶۸ مگابایتی از نوع DDR3 بهره می برد و سرعت خواندن و نوشتن آن مشابه با درایو ۲۵۶ گیگابایتی است. سرعت خواندن و نوشتن تصادفی در درایو ۱۲۸ گیگابایتی به ترتیب ۹۷ هزار و ۵۱ هزار IOPS می باشد که در درایو های ۲۵۶ و ۵۱۲ گیگابایتی به ۹۸ هزار برای خواندن و ۸۴ هزار برای نوشتن افزایش می یابد. حداکثر داده قابل نوشتن روی درایو PX-128M7VC برابر با ۸۰ ترابایت است که در دو درایو دیگر به ۱۶۰ و ۳۲۰ ترابایت ارتقا پیدا می کند.
| مدل | PX-128M7VC | PX-256M7VC | PX-512M7VC |
| ظرفیت | ۱۲۸ گیگابایت | ۲۵۶ گیگابایت | ۵۱۲ گیگابایت |
| کنترلر | Marvel l 88SS1074B1 | Marvel l 88SS1074B1 | Marvel l 88SS1074B1 |
| سرعت خواندن ترتیبی | ۵۶۰ مگابایت در ثانیه | ۵۶۰ مگابایت در ثانیه | ۵۶۰ مگابایت در ثانیه |
| سرعت نوشتن ترتیبی | ۵۰۰ مگابایت در ثانیه | ۵۳۰ مگابایت در ثانیه | ۵۳۰ مگابایت در ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی | ۹۷ هزار IOPS | ۹۸ هزار IOPS | ۹۸ هزار IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی | ۵۱ هزار IOPS | ۸۴ هزار IOPS | ۸۴ هزار IOPS |
| حافظه نهان | ۲۵۶ مگابایت DDR3 | ۵۱۲ مگابایت DDR3 | ۷۶۸ مگابایت DDR3 |
| نوع چپ ست حافظه | TLC با فناوری ۱۵ نانومتری توشیبا | TLC با فناوری ۱۵ نانومتری توشیبا | TLC با فناوری ۱۵ نانومتری توشیبا |
| طول عمر از نظر نوشتن داده | ۸۰ ترابایت | ۱۶۰ ترابایت | ۳۲۰ ترابایت |
| گارانتی | ۳ سال | ۳ سال | ۳ سال |
لینک کوتاه: